光伏电池板光衰现象是怎么出现的

Mwandishi:Iflowpower- Leverandør av bærbar kraftstasjon

1. 组件运行完成后进行功率测试，组件功率正常，但客户收到组件在安装运行过程中出现功率衰减的情况。 此现象大部分是由于电池的光刻缺陷造成的。

本文将系统、简要地讲解光致变色现象。 2. 光伏组件的光电衰减可分为初始光刻衰减和老化衰减两个阶段。

2.1 初始光衰 初始光衰，即光伏组件的输出功率在最初使用的几天内有较大的下降，但随后趋于稳定。 造成这种现象的一个重要原因是p型(硼化物)晶体硅中硼化物络合物含量降低。

通过改变p型掺杂剂，通过置换硼来有效降低太阳能电池的光电性能；或者对电池片进行预处理，即在组装前对电池进行初始光化学衰减。 既可以控制在較小的範圍內，又可以提高組件的輸出穩定性。 光觸媒與電池組相關，對組件廠商的意義在於選用優質的電池片，並減少光觸媒的影響。

2.2. 老化衰減老化衰減是指電池在長期使用中出現緩慢的電量衰減，而電池老化的重要原因與電池的緩慢衰減有關，同時也與封裝材料的性能下降有關。

其中，紫外光照射時，是元件維護性能下降的重要原因。 長期受紫外線照射，會使EVA及背板（TPE結構）老化出現黃變現象，造成組件透光率下降，進而造成功率下降。 這就要求組件供應商在選擇EVA和背板的時候一定要嚴格把控，所選材料必須具有非常優異的抗老化性能，以減少因自然老化而造成的總損耗。

3. p型(硼化物)晶體矽太陽能電池的早期光衰減現象早在30多年前就被觀察到，隨後人們進行了​​大量的科學研究。 特別是近年來科學研究發現與矽片中的硼氧濃度有關，而大家基本一致的看法都是光照或目前抑制矽片中的硼和氧形成硼氧複合物，從而降低子壽命，但經過退火處理後壽命能恢復的越少，可能的反應是：根據文獻記載，與後含矽的矽液中都會有不同程度的衰減，與後含矽片中的硼矽液中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜中都會有不同程度的衰減，與後含矽的矽薄膜衰減。

含量越大，在光照或電流入射下，體內出現的硼酸鹽複合物越多，最低壽命的增加量就越大。 在低氧、混合、磷矽晶片下，其巨壽命隨拍攝時間延長而增加，整體衰減極小。 4.

解決方案 4.1。 提高單晶矽太陽能電池的早期光刻現象的性能品質對單晶矽太陽能電池來說十分重要，早期光刻的衰減幅度越小轉換效率就越高。

由此可見，矽板本身的特性決定了太陽能電池性能的早期光相關程度。 因此要解決好光伏模組早期光刻問題。 必須解決矽的問題。

下面將討論幾種方法。 A. 一些改良型摻硼直單晶矽棒的單晶棒品質實在令人堪憂。

如果龍飛單晶產品配料中出現這種情況會嚴重影響光伏產業的健康發展我國目前存在的問題及改進措施：1）由於原來高純多晶矽短缺，有些拉棒企業在配料中摻入了一些不該使用的浸出物和其他有害雜質含量。 利用該類材料製作的太陽能電池不僅效率低，而且早期光刻缺陷很大。 我們強烈要求低品質的矽材料。

2）高純度多晶矽中的廢N型矽片摻入高純度多晶矽材料等。 所製造的硼矽棒是一種高補償P型單晶材料。 雖然電阻率合適，但是硼氧濃度較高，導致電池性能的光刻衰減較大。

我們強烈要求不低電阻率的N型矽。 3）部分公司拉棒製程不受限制，晶體矽中氧含量過高，內應力大，位錯缺陷多，電阻率不均勻，均影響電池的效率與穩定性。 我們希望改進拉動工藝。

控制氧氣含量。 採用以上矽片製成的太陽能電池片，光刻衰減較大，會超出客戶可接受的範圍。 事實上，直拉單晶製程已經成熟。

只要我們把好材料的品質關，依照正規的製棒工藝，矽棒的品質就能得到較好的控制。 B. 提高了單晶矽棒的產品品質此製程不僅能控制單晶中的氧濃度，還能提高矽單晶的徑向電阻率均勻性。

該工藝已在中國開始試行。 C. 改良型單晶矽製程（FZ）藉由區域熔融單晶矽製程（Fz）來改良單晶矽製程，避免直拉過程中液晶矽晶體中產生大量的氧氣，從而徹底解決P型（硼化硼）太陽能電池的早期微影現象。

由於FZ製程成本較高，對於IC等半導體裝置使用的矽片來說非常重要，但一些公司已經對FZ製程進行了改進，降低了成本。 由太陽能電池矽片製成。 國內一些棒D進行了這方面的試驗工作，改變摻雜劑，採用鋇摻雜的矽製成電池，沒有發現太陽能電池早期的光致發光現象，但也解決了太陽能電池早期的發光問題。

其中一種方法。 E, siv p-type N-type silicon-doped N-hom silicon daim ntawv siv silicon wafer thiab ib txoj hauv kev los daws qhov teeb meem ntawm kev sim thawj zaug ntawm lub roj teeb, tab sis los ntawm cov kev lag luam tam sim no muaj kev lag luam luam ntawv 诰 roj teeb txheej txheem, 诰Tsis muaj qhov zoo dua hauv kev hloov pauv thiab cov nqi tsim khoom. Qee cov txheej txheem tseem ceeb yuav tsum tau daws 4.

2. Lub illumination attenuation yav dhau los ntawm lub roj teeb yog tshwm sim los ntawm cov duab thaum ntxov attenuation ntawm lub photovoltaic los ua ke, thiab lub roj teeb yog illuminated. Plearance, kom lub photoa thaum ntxov ntawm lub roj teeb tshwm sim ua ntej cov khoom tsim.

Thaum ntxov photolithonization ntawm photovoltaic Cheebtsam yog me me, tuaj yeem tswj tau hauv kev ntsuas qhov yuam kev. Nyob rau tib lub sij hawm, nws kuj zoo heev txo lub caij nyoog ntawm kub qhov chaw nyob rau hauv photovoltaic Cheebtsam. 5.

Cov ntsiab lus nce cov zis ruaj khov ntawm cov khoom siv photovoltaic, nqa cov txiaj ntsig ntau dua rau peb cov neeg siv. Txawm hais tias lub teeb pom kev zoo, nws yog ib txoj hauv kev ntxiv rau cov neeg raug kaw, tab sis ua ntej qhov zoo ntawm silicon wafer tsis zoo, kev siv cov qauv no yog los daws cov kev ntsuas tau zoo rau cov khoom siv photovoltaic thaum ntxov.