Wéi erschéngt d&39;Liichtattenuatiounsphenomen vum Photovoltaik Batteriebrett

ଲେଖକ: ଆଇଫ୍ଲୋପାୱାର - Προμηθευτής φορητών σταθμών παραγωγής ενέργειας

1. Nodeems d&39;Operatioun vun der Solarkomponent ofgeschloss ass, gëtt de Kraafttest gemaach, an d&39;Komponentenkraaft ass normal, awer de Client huet d&39;Muechtdämpfung kritt wann d&39;Komponente installéiert a bedriwwe gëtt. Déi meescht vun dësem Phänomen gëtt duerch d&39;Photolithose vun der Batterie verursaacht.

Dësen Artikel wäert systematesch, kuerz erklären de Phänomen vun photoloration. 2. Photoelektresch Dämpfung vu photovoltaesche Komponenten kann an zwou Etappen opgedeelt ginn: initial photolithonal Zerfall an alternd Dämpfung.

2.1 Déi initial Photolithoma initial Photolithosis, dat heescht, d&39;Ausgabkraaft vum Photovoltaikmodul huet e grousse Réckgang an den initialen Deeg vum initialen Gebrauch, awer tendéiert dann ze stabiliséieren. E wichtege Grond deen dëst Phänomen verursaacht ass datt de borogenesche Komplex am p-Typ (borborid) kristallinem Silizium erofgesat gëtt.

Duerch Änneren vum p-Typ Dopant gëtt d&39;Fotovolktioun vun der Photovolktioun effektiv duerch Ersatzbor reduzéiert; oder d&39;Batterieblatt ass preconwarding, dat ass déi initial photolithonal Dämpfung vun der Batterie virun der Assemblée. Et kann an engem klenge Beräich kontrolléiert ginn, wärend och d&39;Ausgangsstabilitéit vun der Komponent verbessert. Photocatalysts sinn Zesummenhang mat Batterie Pak, an d&39;Bedeitung vun Komponente Hiersteller ass héich-Qualitéit Batterie Scheiwen ze wielen fir den Afloss vun photoloration reduzéieren.

2.2. D&39;Alterung Dämpfung Alternd Réckgang bezitt sech op de luesen Kraaft Réckgang am laangfristeg Gebrauch, an déi wichteg Ursaach vun der Batterie ass mat der luesen Dämpfung vun der Batterie verbonnen, an et ass och mat der Leeschtungsverschlechterung vum Packagematerial verbonnen.

Ënnert hinnen ass et e wichtege Grond fir d&39;Degradatioun vun der Komponentenhaltungsleistung während der Bestralung vun ultraviolet Liicht. Laangfristeg Bestrahlung vun ultraviolet Strahlen, erlaabt EVA an backplane (TPE Struktur) Alter giel-verännert Phänomen, dauernd d&39;Liicht Transmissioun vun der Assemblée falen, a verursaacht Kraaft ze falen. Dëst verlaangt, datt Komponent Ubidder streng Kontroll muss wann EVA an backplanes ausgesicht, an der gewielter Material muss ganz excellent ginn Alter Resistenz der aggregéiert Reduktioun wéinst aggregéiert Alterung reduzéieren.

3. Déi fréi Fotoattenuatioun Phänomen vun der p-Typ (borborid) Kristallsilisium Solarzelle gëtt viru méi wéi 30 Joer observéiert, an dann hunn d&39;Leit vill wëssenschaftlech Fuerschung gemaach. Besonnesch, an de leschte Joeren, wëssenschaftlech Fuerschung fonnt datt et mat der Bor Sauerstoff Konzentratioun am Silicon wafer Zesummenhang ass, a jiddwereen substantiell konsequent Vue ass beliicht oder am Moment verhënnert Bor a Sauerstoff an der Silicon wafer Bor Sauerstoff Komplexe ze bilden, an domat d&39;Kand Liewen reduzéieren. Silicon-haltege Silicon Film wäert verschidden Grad vun Zerfall no der Luucht hunn, a Bor, Sauerstoff am Silicon wafer.

Wat den Inhalt méi grouss ass, wat méi boraboalaxesch Kompositen déi am Kierper ënner Beliichtung oder aktuellen Tëschefall erscheinen, wat méi grouss ass d&39;Erhéijung vum niddregsten Liewen. An niddereg Sauerstoff, gemëscht, engem phosphorhaltege Silicon wafer, säi colossono Liewen ass mat der neier Zäit vun Fotografin eropgaang, de globale Zerfall ass extrem kleng. 4.

Léisung 4.1. Verbesseren déi fréi photolithix Phänomener vun der Leeschtung vun Silicon Single Crystal Qualitéit Solarzellen Wichteg op Single Kristallsglas produzéiert Silizium Solarzellen, an déi fréi photolithonal attenuation Amplitude vun der Konversioun Effizienz ass kleng.

Also bestëmmen d&39;Eegeschafte vun der Siliziumplack selwer den Grad vun der fréicher Fotorelatioun vun der Solarzellleistung. Dofir, fir de fréie Photolithosproblem vu Photovoltaikkomponenten ze léisen. Et ass néideg fir de Siliziumproblem ze léisen.

Déi folgend wäert verschidde Methoden diskutéieren. A. D&39;Qualitéit vun e puer eenzel Kristallstären, déi de bor-dotéierte riichter eenzegen Kristallsilisium Staang verbesseren ass wierklech beonrouegend.

Wann dës Bedingung eescht beaflosst d&39;gesond Entwécklung vun der Photovoltaikindustrie an der Mëschung vun Dragonflite Eenkristallprodukter Verbesserung vun Probleemer a Verbesserungen a China: 1) Zënter dem ursprénglechen héich-Renge polykristallinem Siliziummangel, hunn e puer Pull-Staangfirmen e puer Mass vu Maceraten gemëscht, déi net benotzt ginn an aner schiedlech Gëftstoffer Inhalter. Solarbatterien, déi mat sou Materialien produzéiert ginn, sinn net nëmmen niddereg effizient, awer déi fréi Photolithose ass ganz grouss. Mir froe staark fir niddereg Qualitéit Siliziummaterialien.

2) Offall N-Typ Silicium Wafers an héich-Rengheet polycrystalline Silicon Mëschungen an héich-Rengheet polycrystalline Silicon Materialien, etc. D&39;Bor Silicon Staang hiergestallt ass en héich kompenséiert P-Typ Eenkristallmaterial. Och wann d&39;Resistivitéit gëeegent ass, ass d&39;Bor Sauerstoff Konzentratioun héich, wat zu enger méi grousser photolithonaler Dämpfung vun der Solarzellleistung resultéiert.

Mir verlaangen staark keng niddereg Resistivitéit N-Typ Silizium. 3) E puer Firmen zéien de Staangprozess net limitéiert, de Sauerstoffgehalt am kristallinem Silizium ass ze héich, den internen Stress ass grouss, d&39;Dislokatiounsdefekt ass héich, an d&39;Resistivitéit ass ongläich, all beaflosst d&39;Effizienz an d&39;Stabilitéit vun der Solarzelle. Mir wëllen d&39;Pull Handwierk verbesseren.

Kontroll Sauerstoff Inhalt. D&39;Solarzelle aus dem uewe genannte Siliziumwafer huet eng méi grouss photolithonal Dämpfung, déi den Ëmfang vum Client akzeptabel iwwerschreift. Tatsächlech ass de riichte Pull Eenkristallprozess reift.

Soulaang wéi mir d&39;Qualitéit vum Material setzen, laut dem formelle Staangprozess, kann d&39;Qualitéit vun der Siliziumstab besser kontrolléiert ginn. B. Verbesserte Single-Crystal Silicon Staang Produktqualitéit Dëse Prozess kann net nëmmen d&39;Sauerstoffkonzentratioun an eenzel Kristalle kontrolléieren, awer och d&39;Silicon Single Crystal verbesseren, Radial Resistivitéit Uniformitéit.

De Prozess huet Prozess a China ugefaang. C. Verbesserte Single Crystal Silicon Prozess (FZ) fir de Single Crystal Silicon Prozess duerch de regionalen geschmolten Single Crystal Silicon Prozess (Fz) ze verbesseren fir eng grouss Quantitéit Sauerstoff am flëssege Siliziumkristall am riichter Pullprozess ze vermeiden, also grëndlech léisen P-Typ (Bor Bor) ) Fréi Photolithix Phänomen vu Solarzellen.

Wéinst den héije Käschte vum FZ ass et wichteg fir Siliziumwafere fir IC an aner Hallefleitgeräter, awer e puer Firmen hunn de FZ-Prozess renovéiert, d&39;Käschte reduzéieren. Gemaach aus Solar Batterie Silicium Wafers. E puer vun den Hausstaben hunn dësen Aspekt vun der Testaarbecht D duerchgefouert, d&39;Dopant z&39;änneren, mat enger Batterie aus engem Silizium-dotéierte Silizium mat Ballium, de fréie photorealesche Phänomen vun der Sonnenzell net fonnt, awer och déi fréi Stuf vun der Sonnenzell geléist.

Ee vun de Weeër. E, benotzt d&39;P-Typ N-Typ Silizium-dotéiert N-Typ Siliziumplack mat engem Siliziumwafer an eng Method fir de Problem vun der initialer Tester vun der Batterie ze léisen, awer aus dem aktuellen industrialiséierte Bildschirmdruck 诰 Batterieprozess, 诰Et gëtt kee Virdeel an der Konversiounseffizienz an der Fabrikatiounskäschte. E puer Schlësselprozesser si gebraucht fir 4 ze léisen.

2. Eng fréier Beliichtungsdämpfung vun der Batterie gëtt duerch d&39;fréi Fotodämpfung vun der Photovoltaikversammlung verursaacht, an d&39;Batterie gëtt beliicht. Plearance, sou datt déi fréi Photoa vun der Batterie geschitt ier de Komponent hiergestallt gëtt.

Fréier Photolithoniséierung vu Photovoltaikkomponenten ass ganz kleng, ka bannent Messfehler kontrolléiert ginn. Zur selwechter Zäit reduzéiert et och d&39;Chance vu waarme Flecken a Photovoltaikkomponenten staark. 5.

Resumé erhéicht d&39;Ausgabstabilitéit vun de Photovoltaikkomponenten, bréngt méi Virdeeler fir eis Benotzer. Trotz de liichte Viraussetzungen ass et eng Method fir de Prisonnéier z&39;erfëllen, awer ier d&39;Qualitéit vum Siliziumwafer net effektiv verbessert gëtt, ass d&39;Benotzung vun dëser Method fir déi effektiv Moossname fir déi fréi Photolithitatioun vu Photovoltaikkomponenten ze léisen.