Деякі застереження щодо використання МОП трубок у роботі

ଲେଖକ: ଆଇଫ୍ଲୋପାୱାର - Soláthraí Stáisiún Cumhachta Inaistrithe

Розвиток людського суспільства невіддільний від усіх сфер життя, і оновлення різних електронних продуктів не відкриє зусилля нашого дизайнера. Насправді багато людей не зрозуміють склад електронних продуктів, таких як MOS. трубка.

MOS трубка бере участь у провідності більшості носіїв, також відомих як однополюсні транзистори. Відноситься до напівпровідникових приладів контролю напруги. Має високий вхідний опір (10 ^ 7 ~ 10 ^ 12 Ом), низький рівень шуму, низьке енергоспоживання, великий динамічний діапазон, легку інтеграцію, відсутність вторинного явища пробою, безпечну ширину робочої зони тощо.

, тепер біполярний транзистор і потужний конкурент потужного транзистора. Трубчастий МОП-діод (також відомий як паразитний діод) міститься в одному пристрої з трубкою МОП, але його немає в інтегральній схемі. Діод можна використовувати для зворотного захисту та продовження сильного струму приводу та індуктивного навантаження.

Зазвичай падіння прямого тиску становить приблизно 0,7-1 В. Оскільки діод присутній, MOS-пристрій не може просто зрозуміти використання перемикача в схемі.

Наприклад, у ланцюзі зарядки зарядка завершена. Після відключення живлення акумулятор перевернеться. Застереження щодо використання MOS (1) Щоб безпечно використовувати MOS лампи, граничне значення потужності розсіювання, максимальної напруги стік-витік, максимальної напруги затвор-витік і максимального струму не перевищено в схемі.

(2) При використанні різних типів МОП-транзисторів їх необхідно підключати до схеми в суворій відповідності до необхідного зсуву, і слід звернути увагу на полярність зсуву МОП-транзисторів. Наприклад, існує PN-перехід між витоком і стоком трубки MOS, і затвор N-канальної трубки не може бути натиснутий. Ворота p-канальної трубки не можуть бути негативно зміщені, і цей вид поштовху.

(3) Оскільки вхідний опір транзистора MOSMOS надзвичайно високий, під час транспортування та зберігання слід закоротити висновок, а також використовувати металеву екрановану упаковку, щоб запобігти пробою зовнішнього індукційного потенціалу. Важливо відзначити, що трубку MOSMOS не можна помістити в пластикову коробку. Найкраще зберігати в металевій коробці.

При цьому зверніть увагу на вологостійкість труби. (4) Щоб запобігти індукційному руйнуванню затвора MOS труби, усі випробувальні інструменти, робочі столи, паяльник і сама схема повинні бути добре заземлені; під час зварювання, будь ласка, зварюйте спочатку. Перед ланцюгом з&39;єднання кінець труби повинен бути замкнутий один на одного, а матеріал короткого замикання видаляється після зварювання; коли трубку знімають із монтажної рами, переконайтеся, що тіло людини заземлено належним чином, наприклад, за допомогою кільця заземлення.

Звичайно, можна використовувати. Удосконалений газовий нагрів електричної праски зручніше зварювати трубку MOS для забезпечення безпеки; коли живлення не замкнуто, лампа вставляється в ланцюг або з ланцюга. Ви повинні звернути увагу на вищевказані заходи безпеки під час використання MOS.

(5) Встановлюючи MOS-трубку, зверніть увагу на положення установки, щоб уникнути близькості до теплогенеруючого елемента; щоб запобігти вібрації трубки, необхідно закріпити корпус лампи. Коли штифт викривлений, його діаметр має бути більшим за розмір кореня на 5 мм, щоб запобігти вигину голки та витоку повітря. (6) При використанні VMOS необхідно додати відповідний радіатор.

Візьмемо для прикладу VNF306, після установки радіатора 140 × 140 × 4 (мм) максимальна потужність може досягати 30 Вт. (7) Після паралельного з’єднання кількох трубок, оскільки ємність між електродами та розподільна ємність, високочастотні характеристики підсилювача погіршилися, і легко виникнути високочастотне паразитне коливання підсилювача. Викликаний зворотним зв&39;язком.

Тому, як правило, не більше 4 композитних трубок паралельно, а резистор паразитних коливань підключений до днища або затвора кожної трубки. (8) Напруга затвор-витік трубки MOS не може бути змінена, що може зберігатися у відкритому стані. Якщо МОП-трубка з ізольованим затвором не використовується, через її високий вхідний опір кожен електрод потрібно закоротити, щоб запобігти зовнішнім електричним полям.

Пошкодження ефекту труби. (9) Під час зварювання зовнішній корпус паяльника повинен бути оснащений зовнішнім проводом заземлення, щоб запобігти пошкодженню трубки електричним праскою. Що стосується невеликого обсягу зварювання, то ви також можете нагріти паяльник перед зварюванням і витягнути вилку або вимкнути живлення.

Зокрема, при зварюванні ізольованої затворної MOS-трубки зварювання слід виконувати в порядку затвора витоку джерела, а зварювання слід обрізати. (10) Якщо продається з паяльником 25 Вт, він має бути швидким. Якщо ви використовуєте паяльник 45~75 Вт, використовуйте пінцет, щоб затиснути корінці штифта, щоб сприяти розсіюванню тепла.

МОП-трубку можна використовувати для якісної перевірки якості трубки за допомогою файлу вимірювача опору (перевірте позитивний і зворотний опір між кожним PN-переходом і опір між стоком), а ізольовану трубку з ефектом поля затвора неможливо перевірити за допомогою мультиметра, потрібно використовувати тестер. Більш того, короткочасні маршрути для кожного електрода можна видалити тільки після підключення тестера. При розбиранні необхідно закоротити його, а потім видалити.

Головне, щоб двері не плавали. Підводячи підсумок, переконайтеся, що керування безпекою використання MOS, необхідно звернути увагу на різноманітні заходи безпеки, щоб бути різноманітними, переважна більшість професійних техніків, особливо більшість електронних ентузіастів, повинні починати відповідно до їх власної фактичної ситуації. Прийміть практичний шлях, безпечне та ефективне використання трубки MOS. .