Några försiktighetsåtgärder för att vara uppmärksam på att använda MOS-rör i arbetet

著者：Iflowpower – Dodavatel přenosných elektráren

Det mänskliga samhällets framsteg är oskiljaktigt från alla samhällsskikt, och uppdateringen av olika elektroniska produkter kommer inte att öppna vår designers ansträngningar. Faktum är att många människor inte förstår sammansättningen av elektroniska produkter, såsom MOS. Rör.

MOS-rör är inblandade i ledande från de flesta bärare, även känd som enpoliga transistorer. Den tillhör spänningsstyrda halvledarenheter. Har hög ingångsresistans (10 ^ 7 ~ 10 ^ 12Ω), lågt brus, låg strömförbrukning, stort dynamiskt omfång, enkel integration, inget sekundärt nedbrytningsfenomen, säker arbetsområdes bredd, etc.

, är nu en bipolär transistor och Power transistors kraftfulla konkurrent. MOS-rörformad diod (även känd som parasitisk diod) finns i en enda MOS-rörenhet, men det finns ingen i den integrerade kretsen. Dioden kan användas i omvänt skydd och fortsättning av högströmsdrift och induktiv belastning.

Vanligtvis är det framåtriktade tryckfallet cirka 0,7-1V. Eftersom dioden är närvarande kan MOS-enheten inte helt enkelt förstå användningen av omkopplaren i kretsen.

Till exempel i laddningskretsen är laddningen klar. När strömmen kopplats bort kommer batteriet att vända. Försiktighetsåtgärder vid användning av MOS (1) För att kunna använda MOS-rör på ett säkert sätt överskrids inte gränsvärdet för dess förlusteffekt, maximal drain-source-spänning, maximal gate-source-spänning och maximal ström i kretsdesignen.

(2) Vid användning av olika typer av MOS-transistorer måste de anslutas till kretsen i strikt överensstämmelse med den erforderliga förspänningen och måste vara uppmärksam på förspänningspolariteten hos MOS-transistorer. Till exempel finns det en PN-övergång mellan källan och avloppet för MOS-röret, och grinden på N-kanalröret kan inte tryckas in. Grinden på p-kanalröret kan inte vara negativt förspänd, och denna typ av tryck.

(3) Eftersom ingångsimpedansen för MOSMOS-transistorn är extremt hög, måste stiftet kortslutas under transport och lagring, och metallskyddsförpackning måste användas för att förhindra extern induktionspotentialnedbrytningsgrind. Det är viktigt att notera att MOSMOS-röret inte kan placeras i en plastlåda. Det är bäst att förvara det i en metalllåda.

Var samtidigt uppmärksam på rörets fuktmotstånd. (4) För att förhindra induktionsavbrott i MOS-rörporten måste alla testinstrument, arbetsbänkar, lödkolv och själva kretsen vara väl jordade; svetsa dig först vid svetsning. Innan anslutningskretsen ska änden av röret kortslutas till varandra, och kortslutningsmaterialet tas bort efter svetsning; när röret tas bort från monteringsramen, se till att människokroppen är jordad på ett lämpligt sätt, till exempel med hjälp av en jordring.

Självklart kan du använda. Avancerat gasuppvärmning elektriskt strykjärn är bekvämare att svetsa MOS-röret för att garantera säkerheten; när strömmen inte är stängd sätts lampan in i kretsen eller från kretsen. Du måste vara uppmärksam på ovanstående säkerhetsåtgärder när du använder MOS.

(5) När du installerar MOS-röret, var uppmärksam på installationspositionen för att undvika nära det värmealstrande elementet; för att förhindra rörets vibration är det nödvändigt att fixera lamphuset. När stiftledningen är krökt bör dess diameter vara större än rotstorleken på 5 mm för att förhindra att nålen böjs och leder till luftläckage. (6) Vid användning av VMOS måste en lämplig kylfläns läggas till.

Ta VNF306 som ett exempel, efter installation av 140 × 140 × 4 (mm) radiator kan den maximala effekten nå 30W. (7) Efter att ha anslutit ett flertal rör parallellt, eftersom kapacitansen mellan elektroderna och distributionskapacitansen, försämrades högfrekvensegenskaperna hos förstärkaren, och den högfrekventa parasitoscillationen hos förstärkaren är lätt att uppstå. Orsakad av feedback.

Därför är det vanligtvis inte mer än 4 kompositrör parallellt, och det parasitära oscillationsmotståndet är anslutet till botten eller grinden av varje rör. (8) Grindkällans spänning för MOS-röret kan inte vändas, vilket kan lagras i öppet tillstånd. När det isolerade gate MOS-röret inte används, på grund av dess höga ingångsresistans, måste varje elektrod kortslutas för att förhindra externa elektriska fält.

Skador på rörets effekt. (9) Vid svetsning måste lödkolvens ytterhölje förses med en extern jordledning för att förhindra skador på röret på grund av elektriskt strykjärn. När det gäller en liten svetsning kan man även värma upp lödkolven före svetsning och dra ur kontakten eller stänga av strömmen.

När man svetsar det isolerade MOS-röret, ska svetsning utföras i samma ordning som källans läckageport, och svetsningen ska skäras av. (10) När den säljs med 25W lödkolv bör den vara snabb. Om du använder 45~75W lödkolv, använd pincetten för att klämma fast stiftets rötter för att hjälpa till med värmeavledning.

MOS-röret kan användas för att kvalitativt kontrollera kvaliteten på röret med hjälp av mätresistansfilen (kontrollera det positiva och omvända motståndet mellan varje PN-övergång och motståndet mellan avloppet), och det isolerade gatefälteffektröret kan inte kontrolleras för användning av multimetern, måste användas Tester. Dessutom kan kortsiktiga vägar för varje elektrod endast tas bort efter att testaren anslutits. Vid demontering bör du kortsluta den och sedan ta bort den.

Nyckeln är att förhindra att dörren flyter. Sammanfattningsvis, se till att MOS-ledningen säkerhetsanvändning, är det nödvändigt att uppmärksamma en mängd olika säkerhetsåtgärder för att vara en mängd olika, den stora majoriteten av professionella tekniker, särskilt de flesta elektroniska entusiaster, måste börja enligt sin egen faktiska situation, Ta ett praktiskt sätt, säker och effektiv användning av MOS-röret. .