Bruk en enkel IC for å forlenge batterilevetiden til telefonen

Mwandishi:Iflowpower- Leverandør av bærbar kraftstasjon

Reduser mobiltelefonens strømforbruk og forleng batterilevetiden er målet for hver mobiltelefondesigner. Designingeniører legger stadig til MP3-spillere, kameraer og videoer med full motor, for eksempel moderne mobiltelefoner, som vil fortsette å minimere strømforbruket. Reduser strømforsyningsspenningen til mobiltelefonens viktige brikke (som analog baseband-brikke og digital baseband-brikke) - kan være 2.

8V eller til og med 1,8V - en metode for å redusere strømforbruket. Men når designingeniøren skal beholde en eller flere støttebrikker med høye forsyningsspenninger, er det et problem.

Det vanligste er at ekstrafunksjonen til smarttelefoner blir høyere. Et av eksemplene er strengringetonen, siden lydsignalets topprekkevidde er omtrent 3,2V, så kretsen som oppstår og overfører disse ringetonene er vanligvis 4.

2V strømforsyningsspenning. På denne måten oppstår det problemer i grensesnittet mellom basebånd og ringetonekretser. For å illustrere dette problemet bør vi bruke en analog bryter for å bytte stemme eller ringetone til høyttaleren som et eksempel.

For å konvertere disse to typene kretser på samme blokk (PCB), brukes strømforbruket, eller den analoge bryteren for lavspenning, digital logisk stasjon i basebåndbrikken. Det skal imidlertid bemerkes at sistnevnte metode kan miste strømforbruket hentet fra basebåndbrikken for å redusere strømforsyningsspenningen, fordi når den analoge bryteren fungerer i ikke-ideell modus, vil det være mye perfusjonsstrøm. En enkel måte å løse dette problemet på er å endre den digitale logikken fra basebåndbrikken for å opprettholde basebåndbrikken for å spare strøm ved å bruke en 1.

8V spenning, men denne metoden bør være høyere spenning driver må fungere på høyere spenning. En hvilken som helst brikke i telefonen. For å forklare denne metoden ytterligere, hvordan nivellere omformeren, la oss se hvor strømmen faktisk flyter.

Som vist i figur 1 er den digitale inngangen til den analoge bryteren en grunnleggende CMOS-buffer som består av PMOS- og NMOS-transistorer koblet til omformeren. Legg til signal til I/P-inngangspinnen til bufferen. Når inngangsspenningen er høyere enn inngangshøyspenningen (VIH), er utgangsspenningen til bufferen VDD (strømforsyningsspenning), når inngangsspenningen er under inngangs lavspenningen (VIL), er utgangsspenningen til bufferen GND (jord).

Dette sikrer at portspenningen til den analoge bryteren er en spenning fra en strømkilde, og danner dermed signalområdet. Samtidig overvåking av IV-karakteristikkkurven vist i figur 2 mens inngangsspenningen overvåkes fra 0 til VDD-skanneinngangsspenning. Når inngangsspenningen er en hvilken som helst endespenning av strømforsyningsspenningen, synker IDD til minimum (0μA).

Men når inngangsspenningen er nær hoppepunktet til bufferen, har IDD økt dramatisk. Derfor, når den digitale inngangsspenningen påført I / P-enden er en spenning fra strømkilden, bruker den analoge bryteren minimum strømforbruk. Den karakteristiske kurven har den karakteristiske kurven på grunn av NMOS- og PMOS-svitsjrørene som brukes i bufferdesignet, faktisk som en spenningskontrollmotstand.

Egenskapene til disse brikkene er som følger: VGS> VT-> Transistor Tube Tutor VGS-transistoren slås av for å danne en terskelspenning, og det dannes en ledende kanal mellom source og drain når spenningen er høyere enn spenningen. NMOS transistor Vt er 0,9V, PMOS transistor Vt er -0.

9V. Derfor, når inngangsspenningen er 0V, er PMOS (M1) i på-tilstand, og utgangen fra det første trinnet er VDD. I det andre trinnet er NMOS (M5)-enheten i en tilstand der bufferen har en total utgang på 0V.

Bufferinngangsspenningen øker (før den når den maksimale strømmen) forårsaket impedansen til M1 (M1 begynner å slå seg av) og m5 for impedansnedgangen (M5 begynte å slå seg på), så vil vi se VDD og GND. Hyperimpedanskanal dannet. Ytterligere økning av inngangsspenningen vil føre til at bare én transistor i inngangs- og utgangstransistorparene til bufferen.

Vi bruker prinsippene ovenfor for å fortsette å analysere analoge bryterforekomster, vurder å bruke Adis ADG884 analoge brytere for å bytte mellom mobiltelefonens ringer og tale. Styresignal fra digital basebåndbrikke er 1,8V.

Som vist i fig. 2, hvis den simulerte bryteren er direkte drevet med et digitalt signal på 1,8V, bør strømforsyningsstrømmen være 120μA.

Hvis den digitale inngangsspenningen til den analoge bryteren er høyere enn 3,8V, bør strømforbruket faktisk være 0. Derfor, for å få den analoge bryteren til å operere med det laveste effektområdet, skal det digitale signalet til den digitale basebåndbrikken transformeres til en høyere spenning.

Adis SC70 ultra-liten pakke og bruker vanligvis kun 0,1μA strøm, da en nivåomformer egner seg veldig godt til dette arbeidet. Som vist i fig.

3, kan den kobles til strømforsyningsspenningen til basebåndbrikken og strømforsyningsspenningen til den analoge bryteren og konvertere det logiske nivået mellom de to brikkene. Selvfølgelig kan den analoge bryteren i eksemplet ovenfor være hvilken som helst brikke som fungerer ved høyere spenninger. Moderne mobiltelefoner består av flere CMOS-integrerte kretser (IC) for å fullføre forskjellige funksjoner, for eksempel lyd og video og digitale kameraer.

Disse IC-ene fungerer vanligvis under enhver spenning mellom 5V til 1,8V, noen ganger enda lavere strømforsyningsspenning. Oppsummert bruker vi nivåer av strømsparende strøm for å forlenge batterilevetiden.

Følgende faktorer bør tas i betraktning: Low-end mobiltelefoner bruker vanligvis et batteri på 600mAh. Batteriets standby-tid til lavendtelefonen er 300 timer (HR), og dens nominelle strøm er 2mA. Hvis et nivåskift ikke utføres, vil den analoge bryteren som brukes i dette eksemplet absorbere strømmen på 4.

8 %, men hvis bare nivået ovenfor konverteres, absorberes kun 0,04 % strøm.