የስልክዎን የባትሪ ዕድሜ ለማራዘም ቀላል አይሲ ይጠቀሙ

ଲେଖକ: ଆଇଫ୍ଲୋପାୱାର - Lieferant von tragbaren Kraftwerken

የሞባይል ስልክን የሃይል ፍጆታ በመቀነስ የባትሪ እድሜውን ማራዘም የእያንዳንዱ የሞባይል ስልክ ዲዛይን መሐንዲስ ግብ ነው። የንድፍ መሐንዲሶች የኤምፒ 3 ማጫወቻዎችን፣ ካሜራዎችን እና እንደ ዘመናዊ ሞባይል ያሉ ሙሉ የሞተር ቪዲዮዎችን እየጨመሩ ይሄዳሉ ይህም የኃይል ፍጆታን ይቀንሳል። የተንቀሳቃሽ ስልክ ጠቃሚ ቺፕ (እንደ አናሎግ ቤዝባንድ ቺፕ እና ዲጂታል ቤዝባንድ ቺፕ ያሉ) የኃይል አቅርቦት ቮልቴጅን ይቀንሱ - 2 ሊሆን ይችላል።

8V ወይም እንዲያውም 1.8V - የኃይል ፍጆታን የመቀነስ ዘዴ. ነገር ግን የንድፍ መሐንዲሱ አንድ ወይም ብዙ የድጋፍ ቺፖችን በከፍተኛ የአቅርቦት ቮልቴጅ ማቆየት ሲኖርበት ችግር አለ.

በጣም የተለመደው የስማርትፎኖች ተጨማሪ ተግባር ከፍ ያለ ይሆናል. የድምጽ ሲግናል ጫፍ ክልል ወደ 3.2V ገደማ ስለሆነ ከምሳሌዎቹ አንዱ የሕብረቁምፊው የስልክ ጥሪ ድምፅ ነው፣ስለዚህ እነዚህ የስልክ ጥሪ ድምፅ የሚከሰተው እና የሚያስተላልፈው ወረዳ ብዙውን ጊዜ 4 ነው።

2V የኃይል አቅርቦት ቮልቴጅ. በዚህ መንገድ በቤዝባንድ እና በደወል ቅላጼ ወረዳዎች መካከል ባለው ግንኙነት ላይ ችግሮች ይከሰታሉ። ይህንን ችግር ለማብራራት የአናሎግ ማብሪያ / ማጥፊያን በመጠቀም ድምጽን ወይም የደወል ቅላጼን ወደ ተናጋሪው እንደ ምሳሌ መለወጥ አለብን።

እነዚህን ሁለት አይነት ወረዳዎች በተመሳሳይ ብሎክ (ፒሲቢ) ለመቀየር የኃይል ፍጆታው ጥቅም ላይ ይውላል ወይም ዝቅተኛ ቮልቴጅ ዲጂታል ሎጂክ ድራይቭ በቤዝባንድ ቺፕ ውስጥ ያለው የአናሎግ ማብሪያ / ማጥፊያ ጥቅም ላይ ይውላል። ይሁን እንጂ የኋለኛው ዘዴ የኃይል አቅርቦት ቮልቴጅን ለመቀነስ ከቤዝባንድ ቺፕ የተገኘውን የኃይል ፍጆታ ሊያጣ እንደሚችል ልብ ሊባል የሚገባው ነው, ምክንያቱም የአናሎግ ማብሪያ / ማጥፊያው ጥሩ ባልሆነ ሁነታ ላይ ሲሰራ, ብዙ የፔርፊሽን ፍሰት ይኖራል. ይህንን ችግር ለመፍታት አንድ ቀላል መንገድ 1 በመጠቀም ኃይልን ለመቆጠብ የቤዝባንድ ቺፑን ለማቆየት የዲጂታል አመክንዮውን ከቤዝባንድ ቺፕ መለወጥ ነው።

8V ቮልቴጅ, ነገር ግን ይህ ዘዴ ከፍተኛ የቮልቴጅ ነጂ መሆን አለበት ከፍተኛ ቮልቴጅ ላይ መስራት አለበት. በስልክዎ ውስጥ ያለ ማንኛውም ቺፕ. ይህንን ዘዴ የበለጠ ለማብራራት, የመቀየሪያውን ደረጃ እንዴት እንደሚያሳድጉ, አሁኑኑ በትክክል የት እንደሚፈስ እንይ.

በስእል 1 ላይ እንደሚታየው የአናሎግ መቀየሪያ ዲጂታል ግብአት PMOS እና NMOS ትራንዚስተሮችን ከኢንቮርተር ጋር የተገናኘ መሰረታዊ የCMOS ቋት ነው። ምልክት ወደ ቋት I/P ግቤት ፒን ያክሉ። የግቤት ቮልቴጁ ከግቤት ከፍተኛ ቮልቴጅ (VIH) ከፍ ያለ ሲሆን, የቮልቴጅ ቮልቴጅ VDD (የኃይል አቅርቦት ቮልቴጅ) ሲሆን, የግቤት ቮልቴጁ ከግቤት ዝቅተኛ ቮልቴጅ (VIL) በታች ሲሆን, የቮልቴጅ ቮልቴጅ GND (መሬት) ነው.

ይህ የአናሎግ ማብሪያ በር ቮልቴጅ የኃይል ምንጭ ቮልቴጅ መሆኑን ያረጋግጣል, በዚህም የሲግናል ወሰን ያደርገዋል. በስእል 2 ላይ የሚታየውን የ IV ባህሪ ከርቭ በአንድ ጊዜ መከታተል የግቤት ቮልቴጅን ከ 0 ወደ ቪዲዲ ቅኝት የግቤት ቮልቴጅ እየተከታተለ ነው። የግቤት ቮልቴጁ የኃይል አቅርቦት ቮልቴጅ ማንኛውም የመጨረሻ ቮልቴጅ ሲሆን, IDD ወደ ዝቅተኛው (0μA) ይወርዳል.

ነገር ግን፣ የግቤት ቮልቴጁ ወደ ቋት መቆሚያ ነጥብ ሲቃረብ፣ IDD በከፍተኛ ደረጃ ጨምሯል። ስለዚህ, በ I / P መጨረሻ ላይ የሚተገበረው የዲጂታል ግቤት ቮልቴጅ የኃይል ምንጭ ቮልቴጅ ሲሆን, የአናሎግ ማብሪያ / ማጥፊያ አነስተኛውን የኃይል ፍጆታ ይጠቀማል. የባህሪው ኩርባ በ NMOS እና PMOS ማብሪያ ቱቦዎች ምክንያት በቋት ዲዛይኑ ውስጥ ጥቅም ላይ የዋለው እንደ የቮልቴጅ መቆጣጠሪያ ተከላካይ ባህሪይ ያለው ኩርባ አለው።

የእነዚህ ቺፕስ ባህሪያት እንደሚከተለው ናቸው-VGS> VT-> ትራንዚስተር ቲዩብ ቱተር VGS ትራንዚስተር ጠፍቶ የቮልቴጅ ቮልቴጅ ለመመስረት ሲሆን, ቮልቴጅ ከቮልቴጅ በላይ በሚሆንበት ጊዜ ምንጩ እና ፍሳሽ መካከል ኮንዳክቲቭ ቻናል ይፈጠራል. NMOS ትራንዚስተር Vt 0.9V, PMOS ትራንዚስተር Vt -0 ነው.

9V. ስለዚህ, የግቤት ቮልቴጅ 0V ሲሆን, PMOS (M1) በሁኔታ ላይ ነው, እና የመጀመሪያው ደረጃ ውጤቱ VDD ነው. በሁለተኛው ደረጃ, የኤንኤምኦኤስ (M5) መሳሪያው ቋት አጠቃላይ የ 0V ውጤት ባለው ሁኔታ ውስጥ ነው.

የ ቋት ግቤት ቮልቴጅ ይጨምራል (ከፍተኛው የአሁኑ ከመድረሱ በፊት) M1 impedance (M1 ማጥፋት ይጀምራል) እና impedance ቅነሳ m5 (M5 ማብራት ጀመረ), ከዚያም VDD እና GND እንመለከታለን. ሃይፐር-ኢምፔዳንስ ሰርጥ ተፈጠረ። ተጨማሪ የግቤት ቮልቴጅ መጨመር አንድ ትራንዚስተር ብቻ በግቤት እና ውፅዓት ትራንዚስተር ጥንድ ቋት ውስጥ ያስከትላል።

የአናሎግ መቀየሪያ ሁኔታዎችን ለመተንተን ለመቀጠል ከላይ ያሉትን መርሆች እንጠቀማለን፣ የሞባይል ስልክ በሚሽከረከሩ ቀለበቶች እና ንግግር መካከል ለመቀያየር Adi&39;s ADG884 የአናሎግ ቁልፎችን ለመጠቀም ያስቡበት። የመቆጣጠሪያ ምልክት ከዲጂታል ቤዝባንድ ቺፕ 1.8 ቪ ነው.

በ FIG ላይ እንደሚታየው. 2, የተደመሰሰ የመቀየሪያ ማብሪያ ከ 1.8V ዲጂታል ምልክት ጋር በቀጥታ የሚነዳ ከሆነ የኃይል አቅርቦት 120 ዎቹ መሆን አለበት.

የአናሎግ ማብሪያ / ማጥፊያ ዲጂታል ግቤት ቮልቴጅ ከ 3.8 ቪ በላይ ከሆነ የኃይል ፍጆታ በእውነቱ 0 መሆን አለበት። ስለዚህ የአናሎግ ማብሪያ / ማጥፊያውን በዝቅተኛው የኃይል ቦታ ላይ ለመስራት ፣ የዲጂታል ቤዝባንድ ቺፕ ዲጂታል ምልክት ወደ ከፍተኛ ቮልቴጅ መለወጥ ነው።

የ Adi&39;s SC70 ultra-small ጥቅል እና አብዛኛውን ጊዜ የሚፈጀው 0.1μA ዥረት ብቻ ነው፣ ምክንያቱም ደረጃ መቀየሪያ ለዚህ ስራ በጣም ተስማሚ ነው። በ FIG ላይ እንደሚታየው.

3, ከቤዝባንድ ቺፕ የኃይል አቅርቦት ቮልቴጅ እና ከአናሎግ ማብሪያው የኃይል አቅርቦት ቮልቴጅ ጋር መገናኘት እና በሁለቱ ቺፖች መካከል ያለውን የሎጂክ ደረጃ መቀየር ይቻላል. እርግጥ ነው, ከላይ ባለው ምሳሌ ውስጥ ያለው የአናሎግ ማብሪያ / ማጥፊያ ማንኛውም ቺፕ በከፍተኛ ቮልቴጅ የሚሰራ ሊሆን ይችላል. ዘመናዊ የሞባይል ስልኮች እንደ ኦዲዮ እና ቪዲዮ እና ዲጂታል ካሜራዎች ያሉ የተለያዩ ተግባራትን ለማጠናቀቅ በርካታ የCMOS የተቀናጀ ወረዳዎችን (ICs) ያቀፈ ነው።

እነዚህ አይሲዎች በተለምዶ ከ 5V እስከ 1.8V መካከል በማንኛውም ቮልቴጅ ውስጥ ይሰራሉ, አንዳንዴም የኃይል አቅርቦት ቮልቴጅ ዝቅተኛ ነው. በማጠቃለያው የባትሪ ዕድሜን ለማራዘም የኃይል ቆጣቢ ሃይል ደረጃዎችን እንጠቀማለን።

የሚከተሉት ምክንያቶች ግምት ውስጥ መግባት አለባቸው: ዝቅተኛ ደረጃ ያላቸው የሞባይል ስልኮች በተለምዶ 600mAh አቅም ያለው ባትሪ ይጠቀማሉ. ዝቅተኛ-መጨረሻ ስልክ ያለው የባትሪ የመጠባበቂያ ጊዜ 300 ሰአታት (HR) ነው፣ እና የስም አሁኑ 2mA ነው። የደረጃ ፈረቃ ካልተከናወነ፣ በዚህ ምሳሌ ውስጥ ጥቅም ላይ የዋለው የአናሎግ ማብሪያ / ማጥፊያ የ 4 ን ይይዛል።

8% ፣ ግን ከላይ ያለው ደረጃ ብቻ ከተለወጠ ፣ የአሁኑ 0.04% ብቻ ነው የሚወሰደው።