Kiel aperas la lummalfortiga fenomeno de la fotovoltaeca bateriotabulo

ଲେଖକ: ଆଇଫ୍ଲୋପାୱାର - Προμηθευτής φορητών σταθμών παραγωγής ενέργειας

1. Post kiam la funkciado de la suna komponanto estas kompletigita, la potenca testo estas farita, kaj la komponenta potenco estas normala, sed la kliento ricevis la potencan malfortiĝon kiam la komponanto estas instalita kaj operaciita. La plej granda parto de ĉi tiu fenomeno estas kaŭzita de la fotolitozo de la baterio.

Ĉi tiu artikolo sisteme, mallonge klarigos la fenomenon de fotolorado. 2. Fotoelektra malfortiĝo de fotovoltaikaj komponentoj povas esti dividita en du stadiojn: komenca fotolitona kadukiĝo kaj maljuniga malfortiĝo.

2.1 La komenca fotolitozo komenca fotolitozo, tio estas, la eligo potenco de la fotovoltaeca modulo havas grandan malkreskon en la komencaj tagoj de komenca uzo, sed tiam emas stabiligi. Grava kialo, kiu kaŭzas ĉi tiun fenomenon, estas, ke la borogena komplekso en la p-speca (borborida) kristala silicio estas malaltigita.

Ŝanĝante la p-specan dopanton, la fotovollekto de la fotovollekto estas efike reduktita per anstataŭiga boro; aŭ la baterio tuko estas antaŭkonwarding, kio estas la komenca fotolitonal malfortiĝo de la baterio antaŭ la kunigo. Ĝi povas esti kontrolita ene de malgranda gamo dum ankaŭ plibonigante la produktan stabilecon de la komponento. Fotokataliziloj rilatas al bateriaj pakoj, kaj la signifo de komponantoj estas elekti altkvalitajn bateriotranĉaĵojn por redukti la influon de fotolorado.

2.2. Maljuniĝo-maljuniĝo-maljuniĝo-malkresko rilatas al la malrapida potenco-malkresko en longtempa uzo, kaj la grava kaŭzo de la baterio rilatas al la malrapida mildigo de la baterio, kaj ĝi ankaŭ rilatas al la rendimento-malkresko de la pakmaterialo.

Inter ili, ĝi estas grava kialo de la degenero de komponenta bontenado-agado dum surradiado de transviola lumo. Longtempa surradiado de transviolaj radioj, permesas EVA kaj backplane (TPE strukturo) aĝa flava ŝanĝanta fenomeno, kaŭzante la malpeza transmitance de la asembleo fali, kaj kaŭzis potencon fali. Ĉi tio postulas, ke komponentaj vendistoj devas strikte kontroli kiam ili elektas EVA kaj malantaŭajn aviadilojn, kaj la elektitaj materialoj devas esti tre bonegaj en maljuniĝo-rezisto por redukti la entuta redukton pro entuta maljuniĝo.

3. La frua foto-malfortiga fenomeno de la p-tipa (borborida) kristala silicia sunĉelo estas observita antaŭ pli ol 30 jaroj, kaj tiam homoj faris multajn sciencajn esplorojn. Aparte, en la lastaj jaroj, scienca esplorado trovis, ke ĝi rilatas al la koncentriĝo de boro-oksigeno en la silicio-oblato, kaj ĉies sufiĉe konsekvenca vidpunkto estas lumigita aŭ nuntempe malhelpas boron kaj oksigenon en la silicio-oksigeno por formi boro-oksigenkompleksojn, tiel reduktante la infanan vivon. Tamen, post kalciado, des malpli da vivo povas esti reakirita, kaj la ebla reago de silicio estas: Laŭ la silicio, la ebla reago estas: gradoj da kadukiĝo post la lumo, kaj boro, oksigeno en la silicioblato.

Ju pli granda la enhavo, des pli da boraboalaksiaj kunmetaĵoj, kiuj aperas en la korpo sub lumigado aŭ nuna okazaĵo, des pli granda la pliiĝo en la plej malalta vivo. En malalta oksigeno, miksita, fosfora silicio oblato, ĝia colossono vivo pliiĝis kun la nova tempo de fotado, la ĝenerala kadukiĝo estas ekstreme malgranda. 4.

Solvo 4.1. Plibonigi la fruaj fotolithix fenomenoj de la agado de silicio unukristalkvalita sunaj ĉeloj Grava sur unukristalaj silicio sunaj ĉeloj, kaj la frua fotolithonal mildigo amplitudo de la konvertiĝo efikeco estas malgranda.

Tiel, la trajtoj de la silicioplato mem determinas la gradon da frua fotorilato de sunĉela efikeco. Sekve, por solvi la fruan fotolitosis problemon de fotovoltaikaj komponantoj. Necesas solvi la problemon de silicio.

La sekvanta diskutos plurajn metodojn. A. La kvalito de iuj unukristalaj stangoj, kiuj plibonigas la boro-dopitan rektan unukristalan silician bastonon, estas vere maltrankviliga.

Se ĉi tiu kondiĉo serioze influos la sanan disvolviĝon de la fotovoltaeca industrio en la miksaĵo de Dragonflite unukristalaj produktoj Pliboniganta problemojn kaj plibonigojn en Ĉinio: 1) Ekde la originala altpura polikristalina silicio-manko, iuj tiraj vergaj kompanioj miksis iom da maso de maceratoj kiuj ne devus esti uzataj kaj aliaj malutilaj malpuraĵoj enhavo. Sunaj kuirilaroj produktitaj uzante tiajn materialojn estas ne nur malaltaj efikaj, sed la frua fotolitozo estas tre granda. Ni forte petas malkvalitajn siliciajn materialojn.

2) Malŝparo de N-tipaj siliciaj oblatoj en altpuraj polikristalaj siliciaj miksaĵoj en altpuraj polikristalaj siliciaj materialoj, ktp. La borosilicia bastono produktita estas alta kompensita P-tipa unukristala materialo. Kvankam la resistiveco estas taŭga, la boroksigenkoncentriĝo estas tre alta, rezultigante pli grandan fotolitonal malfortiĝon de la sunĉela efikeco.

Ni forte postulas neniun malaltan rezistan N-tipan silicion. 3) Iuj kompanioj tiras la vergon procezo ne estas limigita, la oksigena enhavo en kristala silicio estas tro alta, la interna streso estas granda, la dislokiĝo difekto estas alta, kaj la resistiveco estas malebena, ĉiuj influas la efikecon kaj stabilecon de la suna ĉelo. Ni deziras plibonigi la tiran metion.

Kontrolu oksigenan enhavon. La suna ĉelo farita el ĉi-supra silicio-oblato havas pli grandan fotolitonan mildigon, kiu superos la amplekson de la kliento akceptebla. Fakte, la rekta tira unukristala procezo estas matura.

Dum ni metas la kvaliton de la materialo, laŭ la formala bastonprocezo, la kvalito de la silicia bastono povas esti pli bone kontrolita. B. Plibonigita unukristala silicia verga produktokvalito Ĉi tiu procezo povas ne nur kontroli la oksigenan koncentriĝon en unukristaloj, sed ankaŭ plibonigi la silician ununuran kristalon, radialan resistivecon unuformecon.

La procezo komenciĝis juĝo en Ĉinio. C. Plibonigita Single Crystal Silicon Process (FZ) plibonigi la unukristalan silicioprocezon per la regiona fandita ununura kristala silicioprocezo (Fz) malhelpi grandan kvanton de oksigeno en la likva siliciokristalo en la rekta tira procezo, tiel ĝisfunde solvante P-tipo (boro boro) ) Frua fotolithix fenomeno de sunaj ĉeloj.

Pro la alta kosto de FZ, ĝi estas grava por siliciaj oblatoj por IC kaj aliaj duonkonduktaĵoj, sed iuj kompanioj renovigis FZ-procezon, reduktante kostojn. Farita el suna baterio silicioblatoj. Iuj el la hejmaj bastonoj efektivigis ĉi tiun aspekton de la prova laboro D, ŝanĝante la dopanton, uzante kuirilaron el silicio-dopita silicio kun balio, ne trovis la fruan fotorealan fenomenon de la suna ĉelo, sed ankaŭ solvis la fruan etapon de la suna ĉelo.

Unu el la manieroj. E, uzu la p-tipo N-tipa silicio-dopita N-tipa silicio folio uzante silicio oblato kaj metodo de solvi la problemon de la komenca testado de la kuirilaro, sed de la nuna industriigita ekranprintado 诰 kuirilaro procezo, 诰Ne estas avantaĝo en konvertiĝo efikeco kaj fabrikado kostoj. Kelkaj ŝlosilaj procezoj estas necesaj por solvi 4.

2. Antaŭa lummalfortiĝo de la baterio estas kaŭzita de la frua foto-malfortiĝo de la fotovoltaeca aro, kaj la baterio estas lumigita. Plearance, tiel ke la frua fotoa de la baterio okazas antaŭ ol la komponanto estas fabrikita.

Frua fotolithonigo de fotovoltaikaj komponentoj estas tre malgranda, povas esti kontrolita ene de mezuraj eraroj. Samtempe, ĝi ankaŭ multe reduktas la ŝancon de varmaj punktoj en fotovoltaikaj komponantoj. 5.

Resumo pliigas la eligan stabilecon de fotovoltaikaj komponantoj, alportante pli da avantaĝoj por niaj uzantoj. Malgraŭ la malpezaj antaŭdiroj, ĝi estas metodo por replenigi la kaptiton, sed antaŭ ol la kvalito de la silicia oblato ne efike plibonigas, la uzo de ĉi tiu metodo estas solvi la efikajn rimedojn por la frua fotolitiĝo de fotovoltaikaj komponantoj.