טשאַרדזשינג ליטהיום באַטאַרייע אַנאָוד מאַטעריאַל יקספּאַנשאַן איז שווער צו באַקומען די נייַע אופֿן פון די פאַרייניקטע שטאַטן און טשיינאַ ר <000000> די מאַנשאַפֿט

ଲେଖକ: ଆଇଫ୍ଲୋପାୱାର - Furnizuesi portativ i stacionit të energjisë elektrike

לויט פרעמד מעדיע ריפּאָרץ, זינט סיליציום האט אַ הויך ענערגיע געדיכטקייַט, עס איז געווארן אַ גאָר אַטראַקטיוו ליטהיום-יאָן באַטאַרייע אַנאָוד מאַטעריאַל. אָבער, אין די טשאַרדזשינג צייַט, די יקספּאַנשאַן שרינגקידזש קענען דערגרייכן 300% ווען די סיליציום אין דער צעל איז ינטעראַקטינג מיט ליטהיום. און איבער צייַט, עס וועט באטייטיק רעדוצירן די פאָרשטעלונג, קורץ קרייַז פון די באַטאַרייע און לעסאָף פירן צו באַטאַרייע ברעקל.

אין סדר צו פֿאַרבעסערן די אויבן דיסאַדוואַנטידזשיז און בכלל האַלטן די ענערגיע געדיכטקייַט פון די באַטאַרייע, די אַנאָוד פון אַ ליטהיום-יאָן באַטאַרייע איז דערווייַל אָנגעשטעלט מיט אַ סיליציום מאַנאַקסייד (SiOx, X≈1). די אַפּלאַקיישאַן פון סיליציום-באזירט אַקסייד אַנאָוד איז העכסט הויך, און די ציקל פאָרשטעלונג איז אויך ימפּרוווד. אָבער, דער מאַטעריאַל נאָך טוט נישט פאַרמייַדן ענדערונגען אין באַנד, און די שוואַך קאַנדאַקטיוואַטי איז שוואַך.

א גרויס נומער פון פאָרשונג אַרבעט איז דורכגעקאָכט צו האַנדלען מיט די אויבן טעכניש פּראָבלעמס. הייַנט, די פאָרשונג מאַנשאַפֿט אין מיין לאַנד און די פאַרייניקטע שטאַטן האט פארעפנטלעכט פאָרשונג רעזולטאַטן און געפֿונען צוויי נייַע פֿאַרבעסערונג מעטהאָדס. מאַנשאַפֿט: ניט-קלעפּיק סיליקאַ אַקסייד / טשאַד קאָמפּלעקס קאַנטאַקי אוניווערסיטעט (וניווערסיטיע) פאָרשונג מאַנשאַפֿט נאָך מיקסינג סיליציום-באזירט אַקסייד פּאַרטיקאַלז און קראַפטליגנין, סינטאַסייזינג אַ הויך פאָרשטעלונג ניט-בונדיד סיליקאָן-באזירט אַקסייד / טשאַד קאָמפּלעקס (בינדער-פרעעסיאָקס באַטערי פון ליטהיום ילעקטראָודז) פֿאַר מאכן ילעקטראָודז.

נאָך היץ באַהאַנדלונג, די ליגנין פארמען אַ קאַנדאַקטיוו גוף (ConductiveMatrix), וואָס קענען אַקאַמאַדייט אַ גרויס נומער פון סיליציום-באזירט אַקסייד פּאַרטיקאַלז צו ענשור עלעקטראָניש קאַנדאַקטיוואַטי, קאַנעקטיוויטי און אַדאַפּט צו די ליטהיאַטיאָן / דעאָדענטאַטיאָן אָפּרוף בעשאַס די ליטהיאַטיאָן / דעליטהאַטיאָן. באַנד טוישן. דעם מאַטעריאַל טוט נישט דאַרפֿן צו נוצן קאַנווענשאַנאַל בינדערס אָדער קאָנדוקטאָרס.

די פאָרשטעלונג פון די ילעקטראָוד געמאכט פון קאָמפּאָסיטע מאַטעריאַל איז גאָר ויסגעצייכנט. קאַמפּערד מיט די לעפיערעך קליין סיליציום-באזירט אַקסייד ילעקטראָוד (160%) פון די באַנד טוישן קורס, די מעטשאַניקאַל עלעקטראָטשעמיקאַל פּראָפּערטיעס זענען ויסגעצייכנט, די פערבאָנמאַטריקס איז גרויס און קענען זיין צוגעפאסט צו באַנד ענדערונגען. די רעזולטאַטן פון אונדזער מאַנשאַפֿט פאָרשונג: Micro SiOx / C Cabens (Core-Shell) קאָמפּאָסיטע מיין לאַנד &39;ס פאָרשונג מאַנשאַפֿט דעוועלאָפּעד אַן עפעקטיוו לייזונג צו צוגרייטן אַ מיקראָ SiOx / C האַרץ שאָל קאָמפּלעקס.

די לערנען גרופּע געמישט סיטריקאַסיד און אַ פּילקע מילינג סיליציום-באזירט אַקסייד געמאכט עס טשאַד, נאכגעגאנגען דורך אַ טעקסטשערד SiOx / C-האַרץ שאָל קאָמפּלעקס - SiOx מיקראָ האַרץ און סיטראַטע טשאַד CONFORMALCARBONSHELL. די טשאַד שאָל האט זייער געוואקסן די עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי פון סיליציום-באזירט אַקסיידז, און די באַנד טוישן אין אַדאַפּטיישאַן צו די ליטהיום / דעאָד ליטהיום אָפּרוף. די ילעקטראָודז געמאכט דורך די SiOx / C קאָמפּלעקס זענען 1296.

3 מאַה / ג, און קאַמבאַסעפפיסיענסי איז ווי הויך ווי 99.8%, און די קאַפּאַציטעט ריטענשאַן קורס איז 65.1% (843.

5 מאַה / ג) נאָך די אָפּצאָל און אָפּזאָגן איז 200 מאל. לויט די פאָרשונג מאַנשאַפֿט, די אָפּזאָגן עפעקטיווקייַט פון דעם קאָמפּלעקס איז גאָר ויסגעצייכנט. דער אופֿן קענען דערגרייכן מאַסע פּראָדוקציע, פּרייַז-עפעקטיוו, קענען פּראָדוצירן הויך-פאָרשטעלונג אַנאָוד מאַטעריאַלס געמאכט פון SiOx / C קאָמפּלעקס קאַמפּאַזאַץ.